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华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请硅通孔结构及其制备方法专利,降低金属层与介质层之间的应力

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请硅通孔结构及其制备方法专利,降低金属层与介质层之间的应力

硅硅通孔结构专利引领行业新趋势 在当今半导体在产业快速发展的背景下,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司(以下简称“华进半导体”)近日成功申请了一项关于华进半导体的申请硅硅通孔结构及其制备方法及其制备方法专利旨在显...

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